MOS管概念：

　　MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體，描述了集成電路中的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

　　MOS管工作原理：

　　MOS管的工作原理（以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管）它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

　　MOS管的性能參數(shù)：

　　優(yōu)質(zhì)的MOS管可以接受的電流峰值更高。普通狀況下我們要判別主板上MOS管的質(zhì)量上下，能夠看它能接受的最大電流值。影響MOS管質(zhì)量上下的參數(shù)十分多，像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無(wú)法標(biāo)注這么多參數(shù)，所以在MOS管外表普通只標(biāo)注了產(chǎn)品的型號(hào)，我們能夠依據(jù)該型號(hào)上網(wǎng)查找詳細(xì)的性能參數(shù)。還要闡明的是，溫度也是MOS管一個(gè)十分重要的性能參數(shù)。主要包括環(huán)境溫度、管殼溫度、貯成溫度等。由于CPU頻率的進(jìn)步，MOS管需求接受的電流也隨著加強(qiáng)，提供近百A的電流曾經(jīng)很常見了。如此宏大的電流經(jīng)過(guò)時(shí)產(chǎn)生的熱量當(dāng)然使MOS管“發(fā)燒”了。為了MOS管的平安，高質(zhì)量主板也開端為MOS管加裝散熱片了。

　　mos管三個(gè)引腳如何區(qū)分？

　　G極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。

　　S極，不論是p溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；

　　D極，不論是p溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。

　　判定柵極G：將萬(wàn)用表?yè)苤罵&TImes;1k檔，用萬(wàn)用表的負(fù)極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極，測(cè)其電阻。若兩次測(cè)得的電阻值近似相等，則負(fù)表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極。漏極和源極互換，若兩次測(cè)出的電阻都很大，則為N溝道；若兩次測(cè)得的阻值都很小，則為P溝道。

　　判定源極S、漏極D：在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。